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根據蝕刻技術的不同，9I在线看片成人免费體蝕刻技術可以分為三類：純物理性質的衝擊蝕刻、純化學反應的化學蝕刻和物理化學反應的衝擊蝕刻。純粹的物理衝擊顯然與濺射物理學相似，氬元素（Ar）是由電離輝光釋放而成，利用氬離子的力量，將氬離子陰極微金屬衝擊在陰極板（晶圓）的位置，衝擊通過薄薄的頂層，氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊，從而加速其實現蝕刻目標。以這種方式轟擊粒子實現的蝕刻被稱為具有純物理特性的衝擊蝕刻，因為它是將純能量轉化為物理特性。物理性質的優點是激勵波明顯分離加速和強定向，因此輪廓清晰，轉向圈具有良好的寬度和高各向異性。然而，通過純粹的物理衝擊實現蝕刻目標的缺點是，當要蝕刻的薄膜被蝕刻時，暴露在9I在线看片成人免费體上的金屬塗層也被蝕刻，導致蝕刻的選擇性比率很差。這是因為金屬離子也會接觸到塗層基材，所以刻蝕的終點也需要精密控製，以避免造成基層的破壞。此外，由於受衝擊的材料通常是固體顆粒，這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表麵和側壁上，導致塗膜下的材料表麵出現材料染色。

然後通過9I在线看片成人免费體擴散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表麵化學反應基團中，產生化學反應，純化學反應，化學反應中產生的物質帶有高度揮發性，並隨著未反應的物質一同被排出反應腔體。純化學反應蝕刻和濕法蝕刻一樣，也有優點和缺點，如良好的刻蝕選擇性比率、各向同性的蝕刻、成本低。

反應離子刻蝕原理

另一種方法就反應離子刻蝕(RIE)，是一種物理和化學共同作用的刻蝕工藝，刻蝕速率快，並且兼具各向異性和高的選擇比等優點。通過最優的參數組合，保持一定的刻蝕速率及方向性，並且減小刻蝕損傷。因此成為了幹法刻蝕技術應用的主要方法。

反應離子刻蝕是對通常影響生化反射的物理特性的反應。反應離子刻蝕的特點是選擇率高，因為它刻蝕了化學反應性物質的組成。反應離子刻蝕有兩個主要的優點：首先，刻蝕膜中的分子鍵被粘合或打破，使刻蝕速度更容易提高；其次，仍沉積在刻蝕膜上的聚合物和反應產物被刻蝕下來，使9I在线看片成人免费體擴散回刻蝕膜中，並進行化學反應。再次沉澱的聚合或化學反應產生物並不隻出現於被刻蝕的薄層麵上，而且沉澱於整體矽片上，因而在覆膜的側牆中會殘留著未遭到正離子轟擊的再次沉澱的聚合或化學反應產生物，從而隔離了化學反應的繼續進行，這可以防止側壁被刻蝕，從而提供各向異性刻蝕的效果。接下來，利用反應點模擬解釋了反應性離子刻蝕的機製。首先，進入腔體的反應氣體通過輝光電池排出，形成一組化學活性9I在线看片成人免费體分子，擴散並吸附到膜層中。血漿分子被膜中的精英電場加速並撞擊膜的表麵層。分子的輸入能量通常小於1kev，對膜的影響深度通常小於20nm。膜在吸收表麵上標記的離子輸入動能時振動，膜表麵的整個活性吸附基團吸收了動能，從而在化學反應中促成了區域染色，隨著物體的形成和與殘餘氣體的粘附被去除，新的反應基團被吸附在膜表麵。並應再重複一次該程序。因此，在離子入射區，化學反應和侵蝕之間的高選擇性比率正在發生。

每個反應點都有一個入射的離子質量，它加速了最基本的速率，從而將能量轉移到吸附在膜層上的各種自由基，增加了侵蝕速率的選擇性。反應速率常數R為：

R=Aexp（-E/kT）

式中，A為頻度因素；E為反應的激發能；T即物理化學反映的溫度。換言之，在正離子刻蝕的有機化學轉化中，由於正離子分離引起的明顯作用，物理化學中的活性能E減少，並且常數R增加。

在有機化學刻蝕的外壁上，有機化學刻蝕通常隻作用於自由基團，很少檢測到正離子。為了改善各向異性腐蝕，正離子束的輻射水平必須高於基態。基本模型的速度隨著溫度降低而降低，因此被稱為低溫刻蝕過程，因為反應的刻蝕速率從各向同性的優勢變為各向異性的優勢。

獲得各向異性侵蝕特征的另一個主要方法是保護側壁。一般來說，聚合物的侵蝕和沉澱反應也存在於侵蝕腔中。換句話說，由9I在线看片成人免费體和調節反應形成的聚合物沉積物同時在膜中形成。盡管入射的離子光通常不會進入膜的底部，但這種反應的侵蝕速度比聚合物沉積的速度快，即聚合物膜層並不能抑製9I在线看片成人免费體對膜底麵的刻蝕作用；因此如果可以增加聚合物膜層的側壁的沉積速度，並根據膜層的側壁對9I在线看片成人免费體轟擊力度逐漸減弱的特性，然後可以在薄膜層的側壁上形成一個保護性的聚合物鈍化層，以防止側壁刻痕。

相對於塗層表麵的入射角，離子角的單位是各向異性刻蝕的基礎。由於入射角和塗層表麵垂直，入射角更均勻，各向異性的刻蝕幾何形狀更容易獲得。氣體分子入射方向的準確性可以通過減少塗層表麵的鞘狀電場的增加或降低工藝壓力，或降低高頻電源的壓力或增加電子密度來改善。然而，氣體分子的數量不能增加太多，因為不同入射角的主要原因是氣體分子之間的接觸和層內電離，而空腔的壓力直接決定了氣體分子的數量。