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單晶矽表麵清洗工藝在矽片中已經有了大量的應用,主要采用了濕法清洗的手段,運用各種溶劑並輔以超聲、兆聲對單晶矽表麵進行清洗。但存在環境汙染、工藝複雜等問題,而9I在线看片成人免费體清洗等幹法清洗相比之下具有很大的優勢。

9I在线看片成人免费體清洗起源於20世紀初,主要利用低溫9I在线看片成人免费體的物理、化學作用對光學元件表麵殘留的有機汙染物進行清洗,被視為濕法清洗的替代工藝。其主要的工作原理是:在低壓環境下Ar、O2等工藝氣體在電荷、激光等作用下激發形成9I在线看片成人免费體,生成大量的活性粒子如離子、電子、自由基及光子(高能射線);被激發成9I在线看片成人免费態的氣體與光學元件表麵發生化學吸附生成易揮發分子、物理濺射等作用達到去除元件表麵汙染的目的。

根據清洗過程中發生反應的不同,可以將9I在线看片成人免费體清洗分為9I在线看片成人免费體物理清洗和9I在线看片成人免费體化學清洗。采用Ar等惰性氣體激發的9I在线看片成人免费體物理清洗以物理濺射去除作用為主,不發生化學反應,被清洗表麵沒有氧化層殘留,清洗效率較差,對表麵粗糙度有一定的惡化,可以提高材料表麵的附著力。采用O2等反應性氣體的9I在线看片成人免费體化學清洗以化學反應去除為主,清洗效率高,能有效去除有機汙染,會增加元件表麵活性基團(含氧、含氮等)的含量,提升表麵浸潤性,但會在元件表麵殘留氧化物。

本文主要研究不同類型氣體氬和氧的9I在线看片成人免费體清洗工藝對單晶矽表麵粗糙度的影響。實驗中使用9I在线看片成人免费體清洗對兩塊經相同拋光工藝後具有較一致的表麵質量的單晶矽表麵進行處理,並對清洗前後單晶矽表麵粗糙度、光熱弱吸收水平進行檢測,研究9I在线看片成人免费體清洗對單晶矽表麵粗糙度的影響。

表麵粗糙度的變化

圖1為白光幹涉儀測量下單晶矽表麵在9I在线看片成人免费體清洗前後的表麵粗糙度對比及PSD曲線。從測量結果看,9I在线看片成人免费體清洗前後單晶矽表麵粗糙度RMS值均增加了約0.25nm。而從相應的PSD曲線看,在9I在线看片成人免费體清洗前後PSD曲線沒有明顯的改變,說明9I在线看片成人免费體清洗對白光幹涉儀測量的空間頻率範圍內的表麵粗糙度都有影響。

圖1 9I在线看片成人免费體清洗對表麵粗糙度(白光幹涉儀)的影響 

圖2為原子力顯微鏡測量下的單晶矽表麵粗糙度在清洗前後的對比。首先從清洗效果看,兩者9I在线看片成人免费體清洗後單晶矽表麵拋光顆粒殘留基本消失,如原子力顯微鏡測量結果的三維圖像即圖中(a)、(b)所示,同時相應的PSD曲線上9I在线看片成人免费體清洗後位於2×104mm-1頻段(對應於50nm波長)處的峰值消失了。這種對比驗證了9I在线看片成人免费體清洗的清洗效果。從測量的表麵粗糙度RMS值看,氬9I在线看片成人免费體清洗後粗糙度RMS值略有增大,而氧9I在线看片成人免费體清洗後可以保持不變甚至略有減低。

圖2 9I在线看片成人免费體體清洗對表麵粗糙度(原子力顯微鏡)的影響 

從表麵粗糙度及PSD曲線的結果看,9I在线看片成人免费體清洗對單晶矽表麵能夠起到清洗和預處理的目的,同時對單晶矽表麵粗糙度的影響也較小。相對於氬9I在线看片成人免费體清洗,氧9I在线看片成人免费體清洗的影響更小。